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半导体器件.pdf

简介：本发明的目的在于提供一种具有高操作性能和稳定性的光电器件,以及制造该光电器件的方法。Lov区207设置在含有驱动电路的n－沟道TFT302中,实现了抗热流干扰的TFT结构。Loff区217～220设置在含有像素部分的n－沟道TFT304中,实现了具有低断开电流值的TFT结构。通过层叠第一布线和电阻率比第一布线低的第二布线形成输入－输出信号布线305和栅极布线306,并且布线的电阻率大为减小。
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