简介:在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中,至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016-5×1019cm-3的促进硅结晶化的金属元素,没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-18