简介:一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺,其工序是:在衬底上形成绝缘物涂层;将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中;在上述暴露工序之后,在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜;并且在400到650℃或更高温度中,但不得高于衬底玻璃转换温度,热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的,选择性地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质,该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。
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上传人:dahua1981
- 上传日期:2023-04-18