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用于形成半导体器件栅极的方法.pdf

简介：第一和第二虚拟结构(201和202)被形成在一个半导体器件的衬底(10)上。在一个实施方式中,第一虚拟结构(201)的部分被去除,并且被用一第一导电材料(64)来取代,以形成一第一栅极(71),并且第二虚拟结构(202)的部分被去除,并且被用一第二导电材料 详细>
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