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具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法.pdf

简介：形成FET尤其是MOSFET的方法,包括:在半导体结构上形成介质叠层;在该介质叠层上界定刻蚀窗;通过使用反应离子刻蚀(RIE)工艺将该刻蚀窗转移到介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔;淀积侧壁层;从该介质叠层的水平表面除去该侧壁层,使得侧壁隔离层留在该栅孔内以便减少该栅孔的横向尺寸;淀积栅导体,使其充填该栅孔;除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体;除去该介质叠层的至少一部分;以及除去该侧壁隔离层。
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