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与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法.pdf

简介：一种半导体构造的制造方法,具有下述步骤:准备具有表面(12)的硅衬底(10);用原子层淀积法在硅衬底(10)的表面(12)上边形成籽晶层(20;20’)。其特征是:在籽晶层(20;20’)上边用原子层淀积法(ALD)形成一层或多层的高介电系数氧化物(40)。
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