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半导体器件及其制造方法.pdf

简介：一种以增加硅化物膜减少源和漏间电阻的薄膜晶体管器件，通过在硅基片上形成栅绝缘膜和栅极接触区、用阳极氧化栅极接触区、用金属覆盖已露出的硅半导体表面和从上面或绝缘基片侧以激光等强光照射金属膜使金属涂层与硅反应以获得硅化物膜的工艺来制造。金属硅化物层还可通过紧密粘附一金属涂层到已露出的源和漏区，使用形状近似三角形、宽度最好是1μm或更小的绝缘体，和使金属与硅起反应而得到。于是能获得一种性能优良的TFT。
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