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半导体器件及其制造方法.pdf

简介：通过选择加入对晶化非晶硅和退火有催化作用的金属元素，在预定方向晶化硅膜。在制造TFT过程中，利用晶化硅膜，如此提供TFT以致于晶化方向大致平行于源和漏之间的电流方向，以及如此提供TFT以致于晶化方向大致垂直于源和漏之间的电流方向。因此，在同一衬底上面，形成能够进行高速工作的TFT和具有低漏电流的TFT。
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