合集 标准 方法 手册 讲义 报价单 谱图库 更多 标准查询 今日免费资料 论文索引
您现在的位置：首页 > 资料中心 > 标准下载 > T/CASAS 004.1-2018 4H-SiC衬底及外延层缺陷 术语.pdf 下载

T/CASAS 004.1-2018 4H-SiC衬底及外延层缺陷 术语.pdf

简介：本标准规定了4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语和定义，其中包括4H-SiC材料、缺陷共性用语、衬底缺陷、外延层缺陷以及工艺缺陷五部分，其中工艺缺陷包括抛光（CMP）、离子注入、高温退火与氧化等相关工艺产生的缺陷。
  • 所需积分：50 分
  • 下载次数：1 次
  • 获取积分：页面上方
  • 资料大小: 507 KB
  • 上传人：Ins_62a62120
  • 上传日期：2022-10-24
收藏资料 (0)
评论 (0)
举报
  • 资料微信群
  • 我的下载

热门资料

最新资料

最新方案

相关评论

您的评论:推荐
发表评论
还可以输入500字

    品牌合作伙伴

    岛津
    日立科学仪器
    珀金埃尔默仪器（上海）有限公司（PerkinElmer）
    日本电子株式会社
    丹纳赫
    安捷伦
    赛默飞世尔科技
    普析通用
    欧波同
    天美
    天瑞仪器
    德国耶拿
    海能技术
    马尔文帕纳科
    磐诺科技
    上海仪电科仪
    梅特勒托利多
    聚光科技
    莱伯泰科
    盛瀚
    多宁生物
    丹东百特
    科哲
    卓立汉光
    屹尧科技
    华谱科仪
    宝德仪器
    优莱博
    HORIBA
    布鲁克核磁
    上传资料
    一键询价

    下载该资料的还下载

    更多>>推荐会议

    更多>>推荐课程

    上传者上传的其他资料

     下载排行

    本周
    本月
    全部
    仪器信息网资料中心栏目所发布的一切文档、图谱等资源仅限于学习和研究目的，版权归原属作者所有；不得将上述内容用于商业或者非法用途，否则，一切后果请用户自负。您必须在下载后的24个小时之内，从您的电脑中彻底删除上述内容。如果您喜欢该资源，请支持正版，以便得到更好的正版服务。如有侵犯到您的权益，请联系我们（download@instrument.com.cn）处理，感谢您的合作！

    安装App资料免费下

    资料微服务您的资料助手