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T/CASAS 003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片.pdf

简介：本标准规定了p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片（以下简称“外延片”）的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。 本标准适用于P沟道IGBT功率器件用4H碳化硅外延片。产品主要用于制作IGBT功率半导体及电力电子器件。
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