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ICP-AES讲座：11. 高频发生器简介：

ICP-AES讲座：11. 高频发生器

ICP系统中的高频发生器的功能是向感应螺管提供高频电流。高频发生器主要有两类：（1）“自激”式发生器（电子管自激振荡）。它能使振荡电流的频率随等离子休阻抗的变化而变化。（2）“它激”式石英稳频发生器（晶体控制振荡）。它是利用压电晶体的振荡来调节电流频率，从而保持频率的恒定。这种发生器的主要优点是振荡频率恒定，功率稳定，转换效率高，抗干扰能力较强。其结构比“自激”式发生器复杂，但在ICP商品仪器中的应用比自激式振荡器广泛。

在高频发生器的螺管中产生的高频电流为ICP的工作提供了必不可少的振荡磁场。螺管中产生的废热靠通水冷却来散失。螺管是由铜或镀铜的银制成的。高频发生器的振荡频率一般为27.12MHz或40.68MHz，输出功率一般为1～1.5kW。反射功率越小越好，一般要求小于10W。要求高频发生器的输出功率有极好的稳定性，因为输送到ICP的功率只要有0.1％的漂移，发射强度就能产生超过1％的变化。因此，高频发生器的功率变化必须小于±0.05％。

等离子炬的能量来源于高频发生器。当等离子体引燃后，负载线圈与等离子体组成类同一个变压器，负载线圈是这个变压器的初级线圈，而等离子体相当于一匝次级线圈。高频功率便通过负载线圈耦合到等离子体中去，使等离子体焰炬维持不灭。高频发生器的输出功率主要消耗在负载线圈发热、等离子体焰炬（入射功率）和部分地反射回来（反射功率）。

现在各厂家出品的高频发生器都有良好的屏蔽，高频磁场不会对人体造成伤害。高频发生器应有良好的接地装置，其接地电阻越小越好，一般以不超过4Ω为宜。

ICP-AES讲座：11. 高频发生器

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