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用户论文(2005)：CdZnTe晶片表面化学抛光研究

简介：【中文摘要】 采用不同浓度的B r2-M eOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2%B r2-M eOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面。AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30%,平整度增加。XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面 详细>
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