基于C-MOSI的红外辐射源，TO46型带反射器，开放式

描述

JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化，如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出，用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体。

硅滤波器优化了从紫外到15.5微米波长范围内的辐射输出。

作为SMD封装，JSIR340特别适合自动拾放装配和大批量生产。

我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片，内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米，基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。

应用

• 非色散红外气体检测

• 衰减全反射光谱法

• 直接红外光谱法

• 光声光谱法

目标气体

• 二氧化碳（CO2）

• 甲烷（CH4）

• 丙烷（C3H8）

• 乙醇（C2H5OH）

• 其他红外活性气体

特点

• 成本效益高的组件

• 标准MEMS技术

• CMOS兼容制造工艺

• 有效的自动化装配工艺，采用SMD封装

• 热板温度高达740°C

• 适当的辐射输出

• 由于热质量低，调制深度高

技术参数

1. 额定功率下的单位

2. 25°C - 700°C

3. 功率开启状态

4. 带有25Ω热电阻

5. 环境温度为25°C时

6. 通过红外相机（0.7-1.1μm）测量的热点温度降低10%后的温度分布平均值

7. 连续模式下，平均无故障时间（MTTF）为63%（膜断裂，基于阿伦尼乌斯定律的计算值）

8. 包括环境温度

典型操作特性

电气示意图

电路

等效电路图

机械制图

TO39底部

SMD底部

截面图-TO39 reflector open

截面图-SMD with filter

产品概述