JSIR340-4
JSIR340-4型经济实惠的红外辐射源专为NDIR气体分析和其他红外测量应用而优化,如直接红外光谱法、衰减全反射光谱法或光声光谱法。基于CMOS的红外辐射源的膜片可达到高达800°C的温度。它能够为工业应用提供长期稳定的辐射输出,用于在环境温度为-20至85°C之间控制和监测过程气体及相关气体。带有标准TO封装和盖子的包装版本适合测量距离长达2厘米。
我们红外辐射源中使用的MEMS芯片包含一个多层热板膜片,内含一个高温稳定的金属CMOSI层。发射器芯片的有效面积为2.2 x 2.2平方毫米,基于硅衬底并采用背刻蚀膜技术。所有薄膜工艺均采用标准MEMS工艺和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI电阻层免受老化和环境影响。
NDIR气体检测
衰减全反射光谱法
直接红外光谱法
光声光谱法
二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨气、二氧化硫、六氟化硫以及成熟气体如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)
由于芯片膜片的低热质量,时间常数为11毫秒
高膜片温度高达770°C,有效芯片面积为2.2 x 2.2平方毫米
长期稳定的芯片结构
光谱带宽从2到15微米
CMOSI芯片技术
技术参数
值
单位
光谱输出范围
2 ... 15
μm
有效面积
2.2 x 2.2
mm²
耐热1
18 ± 5
Ω
温度系数2
1100
ppm/K
时间常数0-63%
11
ms
标称功耗3
650
mW
工作电压4
3.4
mV
工作电流4
190
mA
推荐驱动模式
Power mode
活动区域温度1,5,7
540 ± 30
°C
外壳
TO39
预计使用寿命6,8
> 5000 h at 770 °C;
> 100000 h at 540 °C
最大输入功率
1200
外壳最高温度8
185
活动区域最高温度
770
1. 在额定功率下
2. 25°C - 770°C
3. 在通电状态下
4. 带有18Ω热电阻
5. 环境温度为25°C时
6. 连续模式下,平均无故障时间(膜片破裂)为63%,计算值基于阿伦尼乌斯方程
7. 通过红外相机测量(0.7 - 1.1微米),热点温度降低10%的平均温度分布
8. 包括环境温度
等效电路图
底部
截面图
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