光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。
Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。
BGO SBN
光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体
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| 晶体 | Bi 12 SiO 20（BSO） | Bi 12 GeO 20（BGO） | Fe：LiNbO 3 | SBN x = 0.60 | SBN x = 0.75 |
晶体结构 | 立方，点组：23 | 立方，点组：23 | 三角形，3m | 4mm | 4mm |
晶格（胞）参数，? | 10.10 | 10.15 | - | a = 12.46，c = 3.946 | a = 12.43024，c = 3.91341 |
透射范围，μm | 0.4-6 | 0.4-7 | 0.35 - 5.5 | 0.3 5 - 6.0 | 0.35 - 6.0 |
折射率在0.63μm | 2.54 | 2.55 | 2.20（ne），2.29（no） | n e = 2.33，n o = 2.36 @0.51μm | n e = 2.35，n o = 2.37 @0.51μm |
电光系数r41，pm / V | 5 | 3.5 | r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32 | r 13 = 47，r 33 = 235 | r 13 = 67，r 33 = 1340 |
光学活性，500纳米处的deg / mm | 42 | 41.5 | - | - | - |
在600nm处为 - deg / mm | 25 | 24 | - | - | - |
密度，g / cm 3 | 9.15 | 9.2 | 4.64 | 5.4 | 5.4 |
莫氏硬度 | 5 | 5 | 5 | 5.5 | 5.5 |
熔点，C | 890 | 920 | 1255（Tc = 1140） | 1500±10°C | 1500±10°C |
介电常数 | 56 | 40 | 85（e11）30（e33） | 880 | 3400 |
暗电阻，欧姆厘米 | 10 14 | 10 14 | - | - | - |
吸收系数@0.44μm | - | - | - | 0.3cm -1 | - |
在25°C时的热导率 | - | - | - | 0.006 W / cm * K | |
@ 1370至1470℃下 | - | - | - | - | 0.008 W / cm * K |
热光系数dn e / dT | - | - | - | 3×10 -4 K -1 | - |
居里温度 | - | - | - | 75℃ | 56℃ |
半波电压 | - | - | - | 240伏 | 48 V |
我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。
BSO硅酸铋晶体
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