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AgGaS2(AGS) 红外非线性晶体
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AgGaS2(AGS) 红外非线性晶体

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基本信息：
价格：面议
供货周期：现货
品牌：筱晓光子
供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
　
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产品介绍

AgGaS2 (AGS) 红外非线性晶体

√ZnGeP2√GaSe 

√AgGaSe2√ZnTe
√AgGaS2

由于具有独特的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、

 

AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体，在

中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的

兴趣。它们的应用包括:

? 中红外波段OPO

? 近、中红外波段频率转换

? CO2 激光倍频

? THz生成

红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性，宽的

光谱和角度接收范围，透光范围宽，对温度稳定

性和振动控制没有苛刻的要求，可以进行良好的

机械加工（ GaSe除外）。

其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,  ZnS

AgGaS2

AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。

 

14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光

泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱

 

AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线

ZnGeP2

AgGaSe2

GaSe

ZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：
? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO2激光的上转换；
? CO和 CO2 激光辐射的和频；
? 脉冲式CO、CO2 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。
Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。

 

ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

 

ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱

 

15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱

AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力，在被多种当前常用激光泵浦时，能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下，已经获得2.5-12 μm的波长，以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下，获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。

 

AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

 

18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱

 

25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱

GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面：CO2 激光的高效倍频，脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频，CO和CO2激光向可见光的上转换，通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲，3.5–18 μm范围内 OPG光的发生，飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域，为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。

 

17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱

 

GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐
曲线

 

切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上

物理特性

晶体

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

晶体对称性

四方

四方

四方

六角

立方闪锌矿

点群

42m

42m

42m

62m

43m

晶格常数, ? a

5.465

5.9901

5.757

3.742

6.1037

c

10.771

10.8823

10.305

15.918

-

密度, g/cm3

4.175

5.71

4.56

5.03

5.633

光学特性

晶体

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

透光范围,μm

0.74-12

0.73-18

0.53-12

0.65-18

0.65-17

折射率@






1.06 μm

no

3.2324

2.7005

2.4508

2.9082

2.7779

ne

3.2786

2.6759

2.3966

2.5676

5.3 μm  

no

3.1141

2.6140

2.3954

2.8340

2.6974

ne

3.1524

2.5823

2.3421

2.4599

10.6 μm

no

3.0725

2.5915

2.3466

2.8158

2.6818

ne

3.1119

2.5585

2.2924

2.4392

吸收系数, cm-1 @






1.06um

3.0

<0.02

<0.09

0.25

-

2.5um

0.03

<0.01

0.01

0.05

-

5.0um

0.02

<0.01

0.01

0.05

-

7.5um

0.02

-

0.02

0.05

-

10.0um

0.4

-

<0.06

0.05

-

11.0um

0.8

-

0.06

0.05

-

非线性光学特性

晶体

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

激光损失阈值, MW/cm2

60

25

10

28

-

@脉宽, ns

100

50

20

150

-

@波长, μm

10.6

2.05

1.06

9.3

-

非线性, pm/V

111

43

31

63

-

Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg

76

55

67

14

-

Walk-off角@5.3 μm, deg 0.57

0.57

0.67

0.85

3.4

-

热学特性

晶体

ZnGeP2

AgGaSe2

AgGaS2

GaSe

ZnTe

熔点, oC

1298

851

998

1233

1295

热膨胀系, 10-6/oK






⊥

17.5(a)

23.4(c)

12.5

9.0

8.0

⊥

9.1(b)

18.0(d)

-

-

-

‖

1.59(a)

-6.4(c)

-13.2

8.25

-

‖

8.08(b)

-16.0(d)

-

-

-

@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K

计算折射率的SELLMEIER方程:

晶体

A

B

C

D

E

F

表达式

ZnGeP2

no

8.0409

1.68625

0.40824

1.2880

611.05

-

n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E)

ne

8.0929

1.8649

0.41468

0.84052

452.05

-

AgGaSe2

no

6.8507

0.4297

0.15840

0.00125

-

-

n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2

ne

6.6792

0.4598

0.21220

0.00126

-

-

AgGaS2

no

3.3970

2.3982

0.09311

2.1640

950.0

-

n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2)

ne

3.5873

1.9533

0.11066

2.3391

1030.7

-

GaSe

no

7.443

0.405

0.0186

0.0061

3.1485

2194

n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2)

ne

5.76

0.3879

-0.2288

0.1223

1.855

1780

ZnTe

No, ne

9.92

0.42530

0.37766

2.63580

56.5

-

n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1)

可以根据客户要求提供的其它晶体有： CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS

ZnTe / 碲化锌:

碲化锌晶体在<110>方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应，也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲，不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个<110>方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时，太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射，这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时，可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光，用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管，通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间，就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟，是时域太赫兹光谱的魅力之一。
  碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。
注意： 碲化锌含有微气泡，这并不影太赫兹的产生，然而，它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。

如何订购：

ZnGeP2 (ZGP) Crystals

货号

Size, mm

θ

φ

镀膜

      标注

   交货期

TL-ZP-401

7x5x15 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

3周

TL-ZP-402

7x5x20 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

3周

 TL-ZP-403

7x5x25 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

6周

AgGaS2 (AGS) Crystals

货号

Size, mm

θ

φ

镀膜

标注

含税单价

交货期

TAGS-401H

5x5x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

9800 元

1周

TAGS-402H

6x6x2 mm

50°

0°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

16450元

联系我们

TAGS-403H

5x5x0.4 mm

34°

45°

BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

SHG @ 3-6 μm, Type 1

12300元

1周

TAGS-801H

8x8x0.4 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

26800元

1周

TAGS-802H

8x8x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

23490元

1周

关于晶体选择列表仅供客户参考

A-F系列

G-H系列

 L-N系列

 P-Z系列

Al2O3

GaTe

LaAlO3

PbWO4

Al

GaN

LiTaO3

PbF2

Au

GaP

LiNbO3

PbS

Ag

Ga：ZnO

LiF

PIN-PMN-PT

AlN 单晶

GdScO3

LSAT

PMN-PT

BaF2

GaSb

LaF3

SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)

BaTiO3

GaAs

LiAlO2

SrLaAlO4

BGO

Graphite(普通；热解)

LGS 硅酸镓镧

SrLaGaO4

BSO

GaSe

LiGaO2

Si(?超薄Si片)

Bi2Te3

GGG (Gd3Ga5O12)

LGT钽酸镓镧

SiC?(4H,6H,3C)

Bi2Se3

Ge

MgAl2O4 

SBN

Bi2Se2Te

Hg(1-x)Cd(x)Te

MgF2

SiO2（玻璃和单晶）

Bi2Te2Se

InP

MgO

Si-Ge

BP 黑磷

InAs

MoSe2

TiO2(锐钛矿型,金红石型)

CdS

InSb

MoS2

TbScO3

CsI (TI)

KH2PO4

MoTe2

TGG

CaCO3

KTaO3

MgO:LiNbO3

TeO2

Cu（单晶）

KTa 1-X NbXO3

NdCaAlO4

WTe2

CdSe

KCl

NaCl

WS2

Ce:Lu2SiO5

KTN

 Nb:SrTiO3 （国产，进口）

WSe2

CdWO4

HOPG

NdGaO3

YAG

CdZnTe


NaCl

YSZ

CdTe


Ni

YAlO3

CeF2



YVO4

CaF2



ZnTe

DyScO3



ZnSe

Fe:SrTiO3



ZnO

Fe3O4



ZnS

Fe2O3



Zero diffraction plate (Si 和SiO2)


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