InGaAs PIN光电二极管MPGD3560J
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
2、特点
平面正照结构、快响应时间、低暗电流、高响应度、高可靠性。
3、应用
光功率计量、监控，光纤传感应用，光纤参数测试，快速光脉冲检测。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
工作电压 | 5 | V | 最大耗散功率 | 20 | mW |
正向电流 | 8 | mA | 工作温度 | -40~100 | ℃ |
焊接温度 | 260（10秒） | ℃ | 存储温度 | -45~120 | ℃ |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | |
光敏面直径 | Φ | 300 | μm | ||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 900～1700 | nm | |||
响应度 | Re | VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw | 0.90 | A/W | |||
VR=10mV,λ=1.3μm，φe=100μw | 0.95 | ||||||
响应时间 | tr | VR=5V，RL=50Ω | 1.5 | ns | |||
响应线性饱和功率 | VR =10mV， | 2 | mW | ||||
电参数 | 电容 | C | f=1MHz,VR=5V | 0 | 6.0 | pF | |
反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 50 | V | |||
暗电流 | ID | VR=10mV，φe=0 | 0.05 | 0.1 | nA | ||
分流电阻 | R | VR=10mV，φe=0 | 100 | MΩ | |||
6、封装、管壳框图和管脚接法（单位：mm）
标准封装：FC插拔。
其他封装: 衰减膜及用户要求的形式。
FC插拔
FC四孔插拔
7、特性曲线
8、使用方法及注意事项
器件在零偏下工作。
防止连接口内被污染。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免损坏。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
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