InGaAs PIN光电二极管MPGT3563T
1、说明
基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。
2、特点
平面正照结构、低暗电流、高响应度、高可靠性、宽光谱响应范围。
3、应用
光功率计量、测量、监控，激光几何特性、光谱特性测量，自由空间光探测、接收，工业监控、医用等应用。
4、最大额定值
最大额定值 | 单位 | 最大额定值 | 单位 | ||
工作电压 | 0.5 | V | 最大耗散功率 | 100 | mW |
正向电流 | 10 | mA | 工作温度 | -40~70 | ℃ |
焊接温度 | 260(10秒) | ℃ | 存储温度 | -40~85 | ℃ |
5、参数性能（Ta=23℃）
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 | |
光敏面直径 | Φ | 3000 | μm | ||||
光参数 | 光谱响应范围 | λ | 900～1700 | nm | |||
响应度 | Re | VR=10mV,λ=1.3μm，Φe=100μW | 0.80 | A/W | |||
VR=10mV,λ=1.55μm，Φe=100μW | 0.85 | ||||||
响应线性饱和功率 | VR =10mV, Φ8μm单模光纤光斑 | 1 | mW | ||||
电参数 | 暗电流 | ID | VR=10mV | 30 | nA | ||
反向击穿电压 | VBR | IR=10μA | 5 | V | |||
电容 | C | f=1MHz,VR=10mV | 1.5 | nF | |||
分流电阻 | Rsh | VR=10mV,φe=0 | 0.5 | MΩ | |||
备注 | 光电参数指标可以按用户要求。 | ||||||
6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)
标准封装：TO-5。
其他封装：按用户要求定制。
7、光谱响应曲线
8、使用方法及注意事项
器件在零偏下使用。
使用中防止剧烈震动、冲击，以免透镜损坏。
在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。
在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
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