产品名称： | 氮化铝(AlN)薄膜 |
产品简介： | AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！ |
技术参数： | 尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴（0001)±1.0deg衬底： Al2O3;SiC;GaN薄膜厚度：10-5000nm导电类型： 半绝缘型位错密度：XRD FWHM of <0002><500arcsec;XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;有效面积：>80%抛光：单抛光
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产品规格：
| 氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2"*1500nm±10%
注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。 |
标准包装： | 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 |
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