在锑化物二型超晶格光电探测器中，载流子沿着材料生长方向（纵向）的输运特性与探测器的性能紧密相关。受到有效质量差异以及界面散射等因素影响，在二型超晶格中纵向空穴迁移率通常要远低于电子迁移率。低空穴迁移率是限制该类探测器性能的主要因素之一。由于特殊测试结构要求，传统霍尔测试法无法用于获取超晶格材料的纵向空穴迁移率。此前文献中已报道采用电子束诱导电流和异质结双极型晶体管等方法提取二型超晶格中的纵向空穴迁移率。这些方法通常涉及复杂的物理建模或繁复的器件制备。在本工作中，我们在12 K-210 K温区，分别采用静态和时间分辨光谱两种无损光学测量方法，结合双极扩散模型和数据拟合，提取InAs/InAs1-xSbx超晶格中纵向空穴迁移率。在12 K时我们获得的空穴迁移率约为0.2 cm2/Vs，并且其随温度的升高而增加，在60 K时达到约50 cm2/Vs并趋于饱和。