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仪器信息网 3i讲堂 Si衬底上GaN基材料外延生长研究进展
1 1 投诉 分享 42 2024-05-14
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Si衬底上GaN基材料外延生长研究进展

所属会议:第三届半导体工艺及封装检测新技术网络会议
Si基GaN材料结合了Si衬底大尺寸、低成本优势和GaN禁带宽度大、电子饱和漂移速度高等优势，在功率电子器件领域有着很高的应用潜力。然而GaN-on-Si作为大失配异质外延体系，相应面临着衬底和外延层间的晶格失配和热膨胀系数失配等固有问题。报告人将基于本课题组的工作，围绕Si基GaN材料的应力控制和位错密度抑制，异质结构生长的界面控制，GaN体材料的点缺陷控制等问题，介绍近期Si衬底GaN基横向和垂直结构功率器件材料外延生长的研究进展。

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全部评论 （1）

  • Ins_ac61f9e6

    有理有据，继续努力！

    2024-06-11 07:33:26

    回复

陈正昊
博士

北京大学
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