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仪器信息网 3i讲堂 分立碳化硅器件的性能表征
0 1 投诉 分享 206 2021-12-28
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分立碳化硅器件的性能表征

所属会议:“第三代半导体材料器件及检测技术发展和应用”主题网络研讨会
与硅器件相比，碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)具有更低的开关损耗，更高的开关速度。但是，其高速开关过程的寄生参数敏感性、短路耐受能力短等问题也给应用带来巨大挑战。因此，对其电气特性进行测试表征可以有效指导应用，基于电感钳位双脉冲测试电路，为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。

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邵伟华
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南京工程学院
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