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iCEM 2017特邀报告:定量ABF成像分析铁电薄膜中的极化屏蔽机制

仪器信息网2017/06/19点击2757

第三届电镜网络会议(iCEM 2017)特邀报告

定量ABF成像分析铁电薄膜中的极化屏蔽机制

高鹏  研究员

北京大学

  报告摘要:

  过去十多年,球差矫正电镜蓬勃发展,电镜的分辨率越来越高,已经有多个厂商的电镜成功地突破了0.5埃的空间分辨(即0.00000000005米,氢原子半径约0.53埃,除了含氢化合物外所有其他原子键长都不小于1.2埃)。高空间分辨丰富了可研究的材料体系,也涌现出了很多新的显微学方法与手段,并且极大地增强了谱学探测功能。本报告简单介绍一下球差矫正的原理,着重介绍基于0.5埃空间分辨的图像定量分析在原子键长精确测量方面的应用。具体内容如下:利用环形明场成像技术在皮米精度上测量了铁电薄膜钛酸锆铅的表面、界面结构,发现了极化取向依赖的原子结构,揭示了铁电材料边界的结构弛豫屏蔽机制。进一步分析了不同厚度薄膜中的极化强度大小(即尺寸效应),发现了最薄的钙钛矿铁电薄膜,提出了此类薄膜材料中可能并不存在临界尺寸。

  报告人简介:

  高鹏,北京大学研究员,博士生导师,北京大学电子显微镜实验室副主任。长期从事透射电子显微学相关的研究。近期的主要研究兴趣是基于超高能量分辨的电子能量损失谱技术、超高空间分辨的图像定量化技术、高时间分辨的原位探测技术来研究陶瓷、薄膜、低维纳米材料的结构与物性关系。主要包括:(1) 晶体材料的表面、界面、缺陷结构;(2)外场下的结构相变;(3)固态离子迁移动力学过程等。共发表论文50余篇,累计引用1500多次,其中包括10篇Nature子刊和1篇Science。

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