别名:高纯铟贮存:储存温度2-8℃;用途:主要用作包覆层(或制成合金)以增强金属材料的耐腐蚀性,并广泛用作电子器件。合金涂层作反射器。铟合金用作反应堆控制棒等。磷化铟锑化铟等都是半导体材料。
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