ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体

AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的，但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验，直接红外对抗系统，以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频，硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。

14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光

泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱

AgGaS₂晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线

ZnGeP₂晶体的透光波段为0.74至12 μm，其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP₂拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域：
? 通过与10.6 μm 波长混频的 CO₂激光的上转换；
? CO和 CO₂ 激光辐射的和频；
? 脉冲式CO、CO₂ 和DF化学激光的高效倍频；饵和钬激光泵浦时的中红外OPO光的发生。
Terahertzlabs 光 学 提 供 具 有 最 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 μm的ZnGeP2 晶体，更好的适应OPO或OPA应用，然后泵浦2.05-2.1 μm，镀增透膜。

ZnGeP₂晶体1型OPO和SHG调谐曲线

ZnGeP₂晶体在2 μm附近的吸收光谱

15 mm长镀增透膜ZnGeP₂晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱

AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力，在被多种当前常用激光泵浦时，能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下，已经获得2.5-12 μm的波长，以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下，获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO₂激光的高效倍频已经得到证明。

AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线

18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱

25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱

GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面：CO₂ 激光的高效倍频，脉冲式CO、CO₂和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频，CO和CO₂激光向可见光的上转换，通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲，3.5–18 μm范围内 OPG光的发生，飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域，为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。

17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱

GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐
曲线

切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上

晶体对称性

四方

四方

四方

六角

立方闪锌矿

点群

42m

42m

42m

62m

43m

晶格常数, ? a

5.465

5.9901

5.757

3.742

6.1037

c

10.771

10.8823

10.305

15.918

-

密度, g/cm³

4.175

5.71

4.56

5.03

5.633

透光范围,μm

0.74-12

0.73-18

0.53-12

0.65-18

0.65-17

折射率@

1.06 μm

n_o

3.2324

2.7005

2.4508

2.9082

2.7779

n_e

3.2786

2.6759

2.3966

2.5676

5.3 μm  

n_o

3.1141

2.6140

2.3954

2.8340

2.6974

n_e

3.1524

2.5823

2.3421

2.4599

10.6 μm

n_o

3.0725

2.5915

2.3466

2.8158

2.6818

n_e

3.1119

2.5585

2.2924

2.4392

吸收系数, cm-1 @

1.06um

3.0

<0.02

<0.09

0.25

-

2.5um

0.03

<0.01

0.01

0.05

-

5.0um

0.02

<0.01

0.01

0.05

-

7.5um

0.02

-

0.02

0.05

-

10.0um

0.4

-

<0.06

0.05

-

11.0um

0.8

-

0.06

0.05

-

激光损失阈值, MW/cm²

60

25

10

28

-

@脉宽, ns

100

50

20

150

-

@波长, μm

10.6

2.05

1.06

9.3

-

非线性, pm/V

111

43

31

63

-

Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg

76

55

67

14

-

Walk-off角@5.3 μm, deg 0.57

0.57

0.67

0.85

3.4

-

熔点, oC

1298

851

998

1233

1295

热膨胀系, 10-6/oK

⊥

17.5(a)

23.4(c)

12.5

9.0

8.0

⊥

9.1(b)

18.0(d)

-

-

-

‖

1.59(a)

-6.4(c)

-13.2

8.25

-

‖

8.08(b)

-16.0(d)

-

-

-

ZnGeP₂

n_o

8.0409

1.68625

0.40824

1.2880

611.05

-

n²=A+Bλ²/(λ2-C)+Dλ²(λ²-E)

n_e

8.0929

1.8649

0.41468

0.84052

452.05

-

AgGaSe₂

n_o

6.8507

0.4297

0.15840

0.00125

-

-

n²=A+B/(λ²-C)-Dλ²

n_e

6.6792

0.4598

0.21220

0.00126

-

-

AgGaS₂

n_o

3.3970

2.3982

0.09311

2.1640

950.0

-

n²=A+B/(1-C/λ²⁾+D/(1-E/λ²)

n_e

3.5873

1.9533

0.11066

2.3391

1030.7

-

GaSe

n_o

7.443

0.405

0.0186

0.0061

3.1485

2194

n²=A+B/λ²+C/λ⁴+D/λ⁶+E/(1-F/λ²)

n_e

5.76

0.3879

-0.2288

0.1223

1.855

1780

ZnTe

N_o, n_e

9.92

0.42530

0.37766

2.63580

56.5

-

n²=A+B/(λ²-C²)+D/(λ²/E²-1)

TL-ZP-401

7x5x15 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

3周

TL-ZP-402

7x5x20 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

3周

 TL-ZP-403

7x5x25 mm

54°

0°

AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm

OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm

6周

TAGS-401H

5x5x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

9800 元

1周

TAGS-402H

6x6x2 mm

50°

0°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2

16450元

联系我们

TAGS-403H

5x5x0.4 mm

34°

45°

BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm

SHG @ 3-6 μm, Type 1

12300元

1周

TAGS-801H

8x8x0.4 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

26800元

1周

TAGS-802H

8x8x1 mm

39°

45°

BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm

DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1

23490元

1周

Al2O3

GaTe

LaAlO3

PbWO4

Al

GaN

LiTaO3

PbF2

Au

GaP

LiNbO3

PbS

Ag

Ga：ZnO

LiF

PIN-PMN-PT

AlN 单晶

GdScO3

LSAT

PMN-PT

BaF2

GaSb

LaF3

SrTiO₃ (国产,进口,Ti面终止SrTiO3)

BaTiO3

GaAs

LiAlO2

SrLaAlO4

BGO

Graphite(普通；热解)

LGS 硅酸镓镧

SrLaGaO4

BSO

GaSe

LiGaO2

Si(?超薄Si片)

Bi2Te3

GGG (Gd3Ga5O12)

LGT钽酸镓镧

SiC?(4H,6H,3C)

Bi2Se3

Ge

MgAl2O4 

SBN

Bi2Se2Te

Hg(1-x)Cd(x)Te

MgF2

SiO2（玻璃和单晶）

Bi2Te2Se

InP

MgO

Si-Ge

BP 黑磷

InAs

MoSe2

TiO2(锐钛矿型,金红石型)

CdS

InSb

MoS2

TbScO3

CsI (TI)

KH2PO4

MoTe2

TGG

CaCO3

KTaO3

MgO:LiNbO3

TeO2

Cu（单晶）

KTa 1-X NbXO3

NdCaAlO4

WTe2

CdSe

KCl

NaCl

WS2

Ce:Lu2SiO5

KTN

 Nb:SrTiO₃ （国产，进口）

WSe2

CdWO4

HOPG

NdGaO3

YAG

CdZnTe

NaCl

YSZ

CdTe

Ni

YAlO3

CeF2

YVO4

CaF2

ZnTe

DyScO3

ZnSe

Fe:SrTiO3

ZnO

Fe3O4

ZnS

Fe2O3

Zero diffraction plate (Si 和SiO2)