【序号】：1
【作者】：谷文萍 张进成 张林 徐小波 刘盼芝
【题名】：GaN基材料和器件的质子辐照效应
【期刊】：《半导体技术》 |
【年、卷、期、起止页码】：2016年 第7期


【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/91661X/201607/669326146.html

【序号】：2
【作者】：蔡伟智
【题名】：GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响
【期刊】：《半导体技术》 | 
【年、卷、期、起止页码】：2009年 第3期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/91661X/200903/29633883.html

【序号】：3
【作者】：王云彪 佟丽英 杨召杰 陶术鹤
【题名】：氮化镓外延用硅衬底问题研究
【期刊】：《电子工艺技术》
【年、卷、期、起止页码】：2018年 第1期 |
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/95687X/201801/674735578.html

【序号】：4
【作者】：吕玲
【题名】：GaN基半导体材料与HEMT器件辐照效应研究
【期刊】：西安电子科技大学
【年、卷、期、起止页码】：2014年
【全文链接】：http://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10701-1014324960.htm


【序号】：5
【作者】：胡培培
【题名】：Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究
【期刊】：中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所) 博士论文
【年、卷、期、起止页码】：2019年
【全文链接】：http://xuewen.cnki.net/ArticleCatalog.aspx?filename=1019655850.nh&dbtype=CDFD&dbname=CDFDLAST2019