就我个人的理解，GSAS中Le Bail精修主要用于两点，一是没有原子坐标信息时可以用它来获取晶格常数；二是作为Rietveld精修的前导工作，获取Rietveld精修所要的Profile参数。因为Rietveld精修容易发散，相比较而言Le Bail精修要稳定得多，先做Le Bail精修获得的Profile中的GU、GV、GW、LX、LY等参数值，可以直接用做Rietveld精修的初始值，这大大加快了Rietveld精修的速度。
操作上其实没有什么不同，主要是要关闭scale标度因子的精修标记，在LS Control中选择Le Bail 精修，然后就和Rietveld一样的操作，大致是先unit cell和shft，然后 profile啥的。另外Le Bail精修如果发散，重新Powpref一下就会重置所有的HKL强度。
Le Bail做完了，关闭所有精修标记的框，重新打开scale标记开始Rietveld精修即可，不同的是，你已经有了初始的Profile参数了，这比Profile从0开始修难度小多了。
以上，个人理解，供参考。