【序号】：1
【作者】：
杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋【题名】：
用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构【期刊】：
《半导体技术》 |
【年、卷、期、起止页码】：
2006年 第2期【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/91661X/200602/21049119.html
【序号】：2
【作者】：屠海令
【题名】：硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究
【期刊】：《中国工程科学》|
【年、卷、期、起止页码】：2000年 第1期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/83379X/200001/4587749.html
【序号】：3
【作者】：介万奇 李宇杰
【题名】：Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制
【期刊】：《功能材料》 |
【年、卷、期、起止页码】：2004年 第z1期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/92397A/2004z1/1000313360.html
【序号】：4
【作者】：
【题名】：
【期刊】：
【年、卷、期、起止页码】：
【全文链接】：
【序号】：5
【作者】：杨瑞霞
【题名】：未掺杂LECGaAs的补偿机理及相关缺陷
【期刊】：《电子与自动化仪表信息》 |
【年、卷、期、起止页码】：1991年 第5期
【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/95792X/199105/472614.html【序号】：5
【作者】：
孙聂枫 赵有文 孙同年【题名】：
InP中的深能级杂质与缺陷（续）【期刊】：
《微纳电子技术》 |
【年、卷、期、起止页码】：
2008年 第11期【全文链接】：http://www.cqvip.com/QK/92139A/200811/28754267.html
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