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2001smile
发表于:2016/4/18 13:34:49
悬赏金额:
10积分
状态:
已解决
【序号】:1
【作者】:
【题名】:
半绝缘砷化镓单晶生长技术取得系列进展
【期刊】:
《现代材料动态》
【年、卷、期、起止页码】:
2006年 第6期
|
【全文链接】:
http://www.cqvip.com/QK/80212X/200606/22052796.html
【序号】:2
【作者】:
曾庆高
【题名】:
半绝缘砷化镓材料的离子注入
【期刊】:
《半导体光电》
【年、卷、期、起止页码】:
1993年 第4期
|
【全文链接】:
http://www.cqvip.com/QK/91994X/199304/989951.html
【序号】:3
【作者】:
刘鹏
【题名】:
微波器件及IC用SI—GaAs材料现状及展望
【期刊】:
《山东电子》
【年、卷、期、起止页码】:
1996年 第2期
【全文链接】:
http://www.cqvip.com/QK/98089X/199602/2168301.html
【序号】:4
【作者】:
周春锋
兰天平
孙强
【题名】:
砷化镓材料技术发展及需求
【期刊】:
《天津科技》
【年、卷、期、起止页码】:
2015年 第3期
【全文链接】:
http://www.cqvip.com/QK/95370A/201503/664075286.html
zk200512345
回复于:2016/4/18 13:53:57
222222222222
附件
半绝缘砷化镓材料的离子注入.pdf
hstudent
回复于:2016/4/18 17:49:41
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zk200512345
回复于:2016/4/18 13:53:57
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附件
半绝缘砷化镓材料的离子注入.pdf
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