【篇号】:1

【作者】Jaechul Park

【文章标题】High-performance amorphous gallium indium zinc oxide thin-film transistors through N2O plasma passivation

【期刊名，年份，卷（期），起止页码】Applied Physics Letters                                                                                                                                (Volume:93                        ,                                  Issue:                                        5                        )            Aug 2008

【全文链接】http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=4836493&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D4836493

【求助者联系方式】

【篇号】:2

【作者】Chen, Wei-Tsung

【文章标题】Oxygen-Dependent Instability and Annealing/Passivation Effects in Amorphous In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors

【期刊名，年份，卷（期），起止页码】Electron Device Letters, IEEE                                                                                                                                (Volume:32                        ,                                  Issue:                                        11                        )            Nov. 2011

【全文链接】http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=6026903&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D6026903

【求助者联系方式】

【篇号】:3

【作者】Shou-En Liu

【文章标题】Influence of Passivation Layers on Characteristics of a-InGaZnO Thin-Film Transistors

【期刊名，年份，卷（期），起止页码】Electron Device Letters, IEEE                                                                                                                                (Volume:32                        ,                                  Issue:                                        2                        )            Feb. 2011

【全文链接】http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=5671465&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fxpls%2Fabs_all.jsp%3Farnumber%3D5671465

【求助者联系方式】