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共有 2 人回复了该问答求助2篇英文文献，多谢！！
 回复kxin发表于：2020/8/22 12:03:34悬赏金额：5积分 状态：未解决
【篇号】:1
【作者】Cheng-I Lin



【文章标题】Effect of annealing ambient on the characteristics of a-IGZO thin film transistors

【期刊名，年份，卷（期），起止页码】Nanoelectronics Conference (INEC), 2011 IEEE 4th International

【全文链接】http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.jsp?tp=&arnumber=5991738&url=http%3A%2F%2Fieeexplore.ieee.org%2Fiel5%2F5977167%2F5991613%2F05991738.pdf%3Farnumber%3D5991738

【求助者联系方式】

【篇号】:2

【作者】Soyeon Park,

【文章标题】The effect of annealing ambient on the characteristics of an indium-gallium-zinc oxide thin film transistor.

【期刊名，年份，卷（期），起止页码】J Nanosci Nanotechnol. 2011 Jul ;11 (7):6029-33  22121652

【全文链接】http://lib.bioinfo.pl/pmid:22121652

【求助者联系方式】
 回复  1# qq250083771  回复于：2020-08-22 13:14:34
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