回复cxlruzhou发表于:2006/5/29 12:25:00悬赏金额:
10积分 状态:
已解决
SEM 是根据二次电子成像,我想知道通常获取的SEM照片, 电子束一般探测薄膜样品多深?仅仅是表面很薄的表面信息么?
xrd 一般能探测多少?是1微米量级左右么?
他们(SEM和XRD)两者获取的结构信息差别有多大?对于制备的样
品来说,它们通常相互补充说明薄膜结构方面的信息,特此向大虾请教!
多谢。。。
SEM一般有二次电子像和背散射像,二次电子一般来自样品表面的5-10nm的区域,能量为50eV,二次电子产额随原子序数的变化不大,它主要取决于表面形貌。X射线一般在试样的500nm-5mm深处发出。
XRD样品的结构信息来自整个樣品内部和表面,一般大於1000nm,而SEM 探测的仅仅是薄膜表面的结构信息0~10nm(視加速電壓和樣品密度而言)。EDS 探测的微观结构信息多于SEM 直接观察的结果是樣品表面到樣品內部1000nm左右處的樣品元素組成信息.
![](https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/05/200605311241_19359_1684752_3.jpg)
对不同的样品成分,SEM和XRD探测的深度都是不一样的,在不同的操作条件下,SEM的探测深度也是不一样的。SEM侧重于形貌,XRD侧重于结构信息,象晶面间距等。