回复free365发表于：2012/10/16 10:14:59悬赏金额：
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翻了一些帖子和资料，对残差的看法颇有矛盾之处：
1、 残差大小能否表征结果的准确性？
A、 残差小说明测试结果正确可靠；
B、 未必残差越小结果越准确；
2、 通过调整光学参数获取最小残差结果的做法是否合理？
A、 残差小说明光学参数选择正确, 应该根据拟合情况调整物质的折射率与吸收率，从而减小残差；
B、 不应该通过改变折射率或吸光度参数的方式来寻找残差最小结果；
3、 残差是否与分布、分散有关？
A、 残差与粒度分布无关；
B、 残差与分散情况有关；
如果一种样品的残差总是很大，那么如何判断什么原因引起呢？
怎么判断原因就得通过之前说过的原因来和你样品的实际情况综合考虑了，我不能直接下定论。
如果光学参数是正确的，但残差很大，测得的分布可能是不正确的，但通过修改光学参数减小残差得到的结果可能更接近真分布也可能更加偏离真实值，用户应该无法判断吧？
至于光学参数是否正确其实是相当而言了，只能说有可能更接近其真实光学参数，我个人认为同一物质不同粒径的颗粒其折射率还是不完全一样的，通常残差较大的情况都是发生在颗粒度较小的亚微米和纳米颗粒测量上，这是我遇到的情况，光学参数对这部分粒径段得影响是比较大的，因为微米以上的颗粒更接近夫琅禾费衍射。至于修改光学参数来减小残差得到的结果是对了还是错了，用户可能真的无法判断，除非他自己知道样品的生产工艺能产生什么样的粒度分布，或是通过其它测量手段来验证了。
什么情况下会因为反演模型的不适用导致残差太大？跟样品分布有关吗？
这种情况通常是由于Mie散射矩阵的病态性引起的，不好的反演不能完全控制住矩阵病态性对反演迭代结果的收敛性。它的确和样品的分布有关系，因为不同的样品分布会得到不同的散射信号，这组信号是一维项量，用来和Mie矩阵进行反演计算得到粒度分布，它不同时会影响整个反演的性能与效率，所以一定是有关系的。
测试过程中会出现残差逐渐增大的情况，是不是说明残差与样品的分散/团聚有关？ 为什么？
至于残差是否和样品的分散状态是否有关系我没有过详细的研究。你所说的测量过程逐渐增大，那说明是越分散的好残差越大了，那我可不可以这样认为，是因为你越分散样品粒度分布越往细的方向发展，然后就是我上面说的现象，样品越细，光学参数的影响越大，进而造成残差越大呢。
为什么样品的形状会影响残差？
这是我自己研究发现的一点现象。有可能是因为Mie散射理论都是以球形颗粒作为基本形状的，不同形状的颗粒它的散射图谱差别很大。
fanjilai 回复于：2012/11/9 9:19:56
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