有个问题请教，
特征X射线打到Si（Li）探测上，是怎么实现能量区分和强度区分的。
我的意思是，从物质上被电子束激发出来的特征X射线信号是既带有元素定性特征，也有定量特征的。但是进入Si（Li）探测器后，不同能量的X射线光子都打到半导体上，半导体怎么实现区分的，是因为不同元素的X射线光子到达半导体的时间不一样，因此半导体可以一一区分开吗？
我大概了解到后面的多道脉冲可将不同能量的光子产生的电压脉冲进行分道，展成EDS的横坐标。主要是不确定X射线信号是怎么进入Si（Li）的，要是不同能量的光子一起来，那怎么区分啊。