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dy0602105
发表于:2020/9/25 21:09:47
悬赏金额:
7积分
状态:
未解决
1
、
【题
名】:
Beryllium compensation doping of InAs/GaSb infrared superlattice photodiodes
【作
者】:
Darin Hoffman
【期刊名全称】:
Applied Physics Letters
【文献页码】:
Appl. Phys. Lett.
91
, 143507 (2007);
【全文链接】
:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v91/i14/p143507_s1?isAuthorized=no
2
、
【题
名】:
Effect of contact doping in superlattice-based minority carrier unipolar detectors
【作
者】:
B.-M. Nguyen
,
【期刊名全称】:
Applied Physics Letters
【文献页码】:
Appl. Phys. Lett.
99
, 033501 (2011)
【全文链接】
:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i3/p033501_s1?isAuthorized=no
3
、
【题
名】:
Elimination of surface leakage in gate controlled type-II InAs/GaSb mid-infrared photodetectors
【作
者】
:
G. Chen
【期刊名全称】:
Applied Physics Letters
【文献页码】:
Appl. Phys. Lett.
99
, 183503 (2011);
【全文链接】
:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i18/p183503_s1?isAuthorized=no
4
、
【题
名】:
Surface leakage current reduction in long wavelength infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodiodes
【作
者】
:
S. Bogdanov
【期刊名全称】:
Applied Physics Letters
【文献页码】:
Appl. Phys. Lett.
98
, 183501 (2011);
【全文链接】
:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i18/p183501_s1?isAuthorized=no
5
、
【题
名】:
Three color infrared detector using InAs/GaSb superlattices with unipolar barriers
【作
者】
:
N. Gautam
【期刊名全称】:
Applied Physics Letters
【文献页码】:
Appl. Phys. Lett.
98
, 121106 (2011);
【全文链接】
:
http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i12/p121106_s1?isAuthorized=no
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回复
1#
wangshirf
回复于:2020-09-25 21:57:47
5555555555555
附件
ApplPhysLett_98_121106.pdf
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