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 回复dy0602105发表于：2020/9/25 21:09:47悬赏金额：7积分 状态：未解决
1、

【题  名】：Beryllium compensation doping of InAs/GaSb infrared superlattice photodiodes

【作  者】： Darin Hoffman

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】：Appl. Phys. Lett. 91, 143507 (2007);

【全文链接】: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v91/i14/p143507_s1?isAuthorized=no



2、

【题  名】：Effect of contact doping in superlattice-based minority carrier unipolar detectors

【作  者】： B.-M. Nguyen,

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】： Appl. Phys. Lett. 99, 033501 (2011)

【全文链接】: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i3/p033501_s1?isAuthorized=no



3、

【题  名】：Elimination of surface leakage in gate controlled type-II InAs/GaSb mid-infrared photodetectors

【作  者】：G. Chen

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】：Appl. Phys. Lett. 99, 183503 (2011);

【全文链接】: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i18/p183503_s1?isAuthorized=no



4、

【题  名】： Surface leakage current reduction in long wavelength infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodiodes

【作  者】：S. Bogdanov

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】：Appl. Phys. Lett. 98, 183501 (2011);

【全文链接】: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i18/p183501_s1?isAuthorized=no



5、

【题  名】：Three color infrared detector using InAs/GaSb superlattices with unipolar barriers

【作  者】：N. Gautam

【期刊名全称】：Applied Physics Letters

【文献页码】：Appl. Phys. Lett. 98, 121106 (2011);

【全文链接】: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i12/p121106_s1?isAuthorized=no
 回复  1# wangshirf  回复于：2020-09-25 21:57:47
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