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 回复dy0602105发表于：2020/8/26 21:27:40悬赏金额：9积分 状态：未解决
1、

【题  名】： Proposal for strained type II superlattice infrared detectors

【作  者】： D.L.Smith and C.Mailhiot

【期刊名全称】：J. Appl. Phys

【文献页码】：J. Appl. Phys. 62, 2545-2548 (1987)

【全文链接】: http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v62/i6/p2545_s1?isAuthorized=no



2、

【题  名】： Theory of semiconductor superlattice electronic structure

【作  者】：D.L.Smith and C.Mailhiot

【期刊名全称】：Rev. Mod. Phys.

【文献页码】：Rev. Mod. Phys. 62, 173–234 (1990)

【全文链接】: http://rmp.aps.org/abstract/RMP/v62/i1/p173_1



3、

【题  名】： Growth of InAs/Ga1−xInxSb infrared superlattices

【作  者】：D.H. Chow

【期刊名全称】：Journal of Crystal Growth

【文献页码】：Volume 111, Issues 1-4, 2 May 1991, Pages 683-687

【全文链接】: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/002202489191063G



4、

【题  名】：Unintentional As incorporation in molecular beam epitaxially grown InAs/AlSb/GaSb heterostructures

【作  者】： J. Schmitz, J. Wagner, M. Maier, H. Obloh, P. Koidl and J. D. Ralston

【期刊名全称】：Journal of Electronic Materials

【文献页码】：Volume 23, Number 11, 1203-1207

【全文链接】: http://www.springerlink.com/content/8h4g268812444p06/



5、

【题  名】： Interfaces as design tools for short-period InAs/GaSb type-II superlattices for mid-infrared detectors

【作  者】： F. Szmulowicz, H. J. Haugan, G. J. Brown, K. Mahalingam, B. Ullrich, S.R. Munshi and L. Grazulis

【期刊名全称】：Opto-Electronics Review

【文献页码】：Volume 14, Number 1, 69-75

【全文链接】: http://www.springerlink.com/content/y6012212854p257w/
 回复  1# 03mess  回复于：2020-08-26 21:43:40
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