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共有 5 人回复了该问答关于形成碳化钨
 回复junjun8xuhao发表于：2011/6/28 20:49:31悬赏金额：20积分 状态：未解决
在Si基底上预溅了一层W，然后在W层上面沉积了一层碳纳米管薄膜，经700~900度，1~2h真空退火后，仍然没有检出有碳化物(WC、W2C)形成。

请问退火温度和时间应该在多少才能让碳纳米管中的C和底下的W层形成碳化钨呢？

有这方面的专家吗
 回复  1# albert800922  回复于：2011/6/30 23:38:17
你提高温度。做个实验啊。
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