我在Si（100）衬底上做的硫化镉薄膜，测出来是这样

其中CdS的峰好像有26.6（002），47.98（103），54.68（004），都是六角形的好像。
Si的峰有69.04（400），33（200），然后还有两个波包就不知道是怎么回事了。
而且33和69处的峰如果放大看，其实是两个尖锐的峰紧紧连在一起的

然后我又专门做了个衬底Si的XRD，以便把硅峰挑出来


除了69.16的（400）外，前面又多了两个宽的峰包，分别是22.48和33.5.
可以看到用硅衬底做XRD的话，以前33左右的Si（200）降低了，只能隐约分出来。
所以开始还以为是CdS，但卡片上找不到CdS的对应峰，而且用公式算过，不是CdS的。并且别的文献上凡是薄膜33处都是Si（200）的峰。

所以想请教大家几个问题：
1. 图2里，22.48和33.5处两个矮峰包是怎么回事，大家有测到过没，有没有可能是硅片为了掺杂导电而形成的，但好像记得杂质要超过5%才能被测到
2. 图1里33处的（200）为什么单独测硅片XRD的时候就很矮，甚至被淹没，在镀上薄膜之后，又冒出很高。是不是跟结构性消光什么的有关。Si（100）面测不到，是因为结构性消光，(200)很矮，是不是也是因为这个原因。是不是镀上CdS薄膜之后，因为表面晶格畸变，使（200）的消光效应减轻了，所以（200）就突出来了。
3. 图1里33和69处的峰如果放大看，其实是两个尖锐的峰紧密连在一起的，是因为什么原因
4.更低级的问题，请大家帮我扫盲。CdS六角结构的（002）和（004），（002）好理解，因为纵轴的1/2处有原子形成的晶面。但我觉得不应该存在（004）这个面啊，因为纵轴的在1/4处没有原子面。

大家帮帮我，万分感谢啊