大家好,我刚开始做TEM,不是很懂。图片1是我的样品,用mocvd在si上长的GaAS,再长InP。可以看到,在InP上有很多褶皱,这个是应力导致的吗?这个褶皱我怎么偏转都去不掉。还有,在GaAs层,有好多黑斑类的东西,这是减薄导致的,还是缺陷呢?
![](http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/01/201701191653_630440_2232287_3.jpg)
对比另外一张图片,一样的材料和结构。但是这次InP上有很多斑斑点点。这两个样品的区别是:前一个样品GaAs表面粗糙,InP很亮。后一个样品GaAs表面很亮,InP表面很粗糙。不知道这些斑点是不是缺陷。查文献遇到过类似的斑点,发信问作者,他说是减薄导致的缺陷,但是他还说硬的材料(GaAs)应该比不太硬的材料(InP,GaSb)少些斑点。
![](http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/02/201102181052_278288_2232287_3.jpg)