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共有 12 人回复了该问答请教:氩离子刻蚀后样品的荷电问题如何解决?
 回复scientific发表于:2005/12/7 13:07:00悬赏金额:20积分 状态:已解决
当绝缘样品经过长时间的氩离子轰击后,可能会导致样品表面累积大量的正电荷,荷电位移可以高达一百多电子伏特。
累积的正电荷会随时间逐渐转移走,荷电位移因此逐渐减少,但很长时间都不能够稳定。例如窄扫过程中扫第一个元素时位移50eV,扫最后一个元素时位移40eV。使得荷电校正非常困难。
请教你们在实践中是否曾经遇到这个问题?如何避免该问题的发生?
我们的离子枪型号时EX05。曾经尝试在样品表面覆盖金属网以提高样品的导电性,但是效果不明显。
feixiong5134 回复于:2005/12/9 22:16:00
不对吧!您枪的型号跟我们的一样!EX05啊!
我还以为您跟我们的一样呢!也可以调节电压.
看来我还是知道的少! 
chengxps 回复于:2005/12/9 9:46:00
不会的,大家都会考虑到这个问题的,刻蚀的面积大于x-ray束斑的面积,你想谁做也会 首先考虑这个问题。

原文由 feixiong5134 发表:
哦,是这样的,但是我觉得哪个可能有误差啊!
peem 回复于:2005/12/7 14:39:00
电子枪中和
 回复  1# peem  回复于:2005/12/7 14:39:00
电子枪中和
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