最近在学习使用高分辨透射电镜Tecnai F20，现有两个问题向各位大侠请教：
1、我在测试SiC纳米线（111晶面间距为0.25nm）的时候，很多时候在高分辨下得到的是一维条纹结构（即只有一个方向的条纹），今天下午却偶然之间得到了非常漂亮的二维晶格结构图像（即可以看到单个原子的排列），我再去观察别的纳米线却得不到了。以前记得有本书上说只有在入射电子束与样品晶格结构呈特定 的位相关系情况下，就可以得到清晰的二维晶格条纹。我想请问各位老师，该怎么去调节仪器或样品以得到漂亮的二维晶格结构图像呢？

2、在测样品电子衍射图谱的时候，先在TEM模式下找到目标区，然后套光阑点衍射模式，进行选区衍射拍摄。但这样做得到的图谱往往很不好看，得到的衍射斑点很杂乱，我通过调整相机常数是无法解决的，请问各位老师这种情况该怎么办？似乎是要调整样品的角度，但具体要怎么操作呢？

最近在学习使用高分辨透射电镜Tecnai F20，现有两个问题向各位大侠请教：
1、我在测试SiC纳米线（111晶面间距为0.25nm）的时候，很多时候在高分辨下得到的是一维条纹结构（即只有一个方向的条纹），今天下午却偶然之间得到了非常漂亮的二维晶格结构图像（即可以看到单个原子的排列），我再去观察别的纳米线却得不到了。以前记得有本书上说只有在入射电子束与样品晶格结构呈特定 的位相关系情况下，就可以得到清晰的二维晶格条纹。我想请问各位老师，该怎么去调节仪器或样品以得到漂亮的二维晶格结构图像呢？

2、在测样品电子衍射图谱的时候，先在TEM模式下找到目标区，然后套光阑点衍射模式，进行选区衍射拍摄。但这样做得到的图谱往往很不好看，得到的衍射斑点很杂乱，我通过调整相机常数是无法解决的，请问各位老师这种情况该怎么办？似乎是要调整样品的角度，但具体要怎么操作呢？