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共有 1 人回复了该问答请问C-S键的形成对C1s结合能的影响
 回复wangj12发表于:2009/5/26 16:33:52悬赏金额:20积分 状态:已解决

我有一个碳质材料的样品,C1s有三个峰,结合能分别为284.6,286.0,289.4 eV。在嫁接了一些含硫物质后,在287.6 eV附近出出现一个新峰,且289.4处的半峰宽增加。
请问:引起上述变化的原因?这能看出来生成类似C-S键码?C-S键的结合能范围一般在多少?
我开始以为287.6 eV可能是由C-S键的生成引起的,可是看了一些资料,说S对C1s结合能的初级效应非常小(~0.4 eV,初级效应即直接接在C原子上)。不太明白说的什么意思。
麻烦大虾出来赐教,在此谢过。
minghsic 回复于:2009/6/15 3:07:26
Here is the reference paper mentioning C-S bond about 287 eV.

Adsorption of 11-Mercaptoundecanoic Acid on
Ni(111) and Its Interaction with Probe Molecules
Andrew D. Vogt, Taejoon Han, and Thomas P. Beebe
Langmuir, 1997, 13 (13), 3397-3403
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 回复  1# minghsic  回复于:2009/6/15 3:07:26
Here is the reference paper mentioning C-S bond about 287 eV.

Adsorption of 11-Mercaptoundecanoic Acid on
Ni(111) and Its Interaction with Probe Molecules
Andrew D. Vogt, Taejoon Han, and Thomas P. Beebe
Langmuir, 1997, 13 (13), 3397-3403
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