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共有 18 人回复了该问答多原子离子是怎么形成的？？

回复songshiqiu发表于：2009/3/19 10:25:48悬赏金额：80积分状态：已解决

多原子离子是怎么形成的？？
多原子干扰应该是困惑icp-ms和大家的难题了？
C、H、N、O这几个元素则是元凶了，
请问为什么会形成多原子离子干扰，是因为icp的高温条件使他们
之间发生结合吗？？？
另外这几种元素在icp焰里电离了吗？？

希望得到指点！！

zhengxxx 回复于：2009/3/20 10:57:22

原文由 hutian02 发表:
没有太研究过，希望那位大虾详细的解释下。

我感觉多数干扰应该是在ICP中形成的，N O 这样的非金属元素在ICP中心通道中电离比例很小，但是ICP的外焰的氩离子数量很多，在传输中发生氩离子与非金属的原子的结合，形成多原子离子干扰。

但是其它的一些干扰，比如环境样品中的ArNa的干扰，应该是Na离子与Ar原子结合的产物，有可能在更低温度的区域（例如锥口区域等等）

还有一些金属氧化物干扰，一部分是ICP中没有完全电离或者从新结合，还有一部分是在锥口处的二次电离产物。

不知道说的对不对

chauchylan 回复于：2009/4/11 17:49:26

看了些ICP-MS书,似乎多原子产生的途径主要有两种,
1 由于等子体与工作线圈存在电容耦合
2 在Skimmer cone 后存在二次放电
这种认识似乎已达成共识..

yzyxq 回复于：2009/3/24 19:37:06

原文由 lilongfei14 发表:
一般认为，多原子离子并不存在于等离子体本身中，而是在离子的引出过程中，由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

我觉得这个讲法是对。
多原子离子的产生本身概率很小，只是产生多原子离子的量比检测水平高很多，所以即使产生的概率很低，产生的量也会对低水平测量产生影响。

ICP-MS教程往往很强调这类干扰，但事实上，我觉得指示在食品行业，这类干扰并不大，改善前处理，优化参数，一般都可以降低到一个可以忽略的水平。乱用干扰方程往往画蛇添足。

lilongfei14 回复于：2009/3/21 12:56:13

一般认为，多原子离子并不存在于等离子体本身中，而是在离子的引出过程中，由等离子体中的组分与基体或大气中的组分互相作用而形成。

wjf318 回复于：2009/4/22 22:59:29

原文由 songshiqiu 发表:
多原子离子是怎么形成的？？
多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了？
C、H、N、O这几个元素则是元凶了，
请问为什么会形成多原子离子干扰，是因为icp的高温条件使他们
之间发生结合吗？？？
另外这几种元素在icp焰里电离了吗？？

希望得到指点！！

高温使元素电离，但是这个电离是相对的，只是达到一个电离平衡而已，一部分电离的同时，另一部分又重新碰撞结合，一般形成双原子或离子的机会大，三个及以上的机会很少，可以忽略

1# zhyan 回复于：2009/3/19 11:04:01

原文由 songshiqiu 发表:
多原子离子是怎么形成的？？
多原子干扰应该是困惑ICP-MS和大家的难题了？
C、H、N、O这几个元素则是元凶了，
请问为什么会形成多原子离子干扰，是因为icp的高温条件使他们
之间发生结合吗？？？
另外这几种元素在icp焰里电离了吗？？
希望得到指点！！

ICP的炬温可以达到6000度以上，这些元素肯定是离子化的了，关键要考虑预先的样品处理。有时基体改进也是一种方法。

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